商品参数
- 拍卖号: v1156663176
开始时的价格:¥54 (1000日元)
个数: 1
最高出价者: - 开始时间: 2024/10/12 12:23:06
结束时间:
提前结束: 有可能
商品成色: 二手 - 自动延长: 会
日本邮费: 中标者承担
可否退货: 不可以
拍卖注意事项
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日立のHF/VHF帯高出力NチャネルMOSFET『2SK410』の4個セットです。取り外し品ですので,リードの折り曲げ,はんだ付け跡,シリコングリス跡があります。直流特性を見る限り動作品と思われますが,高周波特性は確認していません。ロット番号は8L3です。写真は流用です。
合計質量:約20g クリックポストでの送料は185円です。
【仕様等】
最大ドレイン・ソース電圧 +180V
最大ゲート・ソース電圧 ±20V
最大ドレイン電流 8A
最大許容チャネル損失 120W
出力電力 (1) 140Wmin 180Wtyp VDD:80V,f:28MHz,Pin:5W ドレイン効率:80%typ
出力電力 (2) 100Wpep typ VDD:80V,f:28MHz,IMD≦-30dB 利得:17dBtyp
【試験結果】手持ち測定器での直流特性
遮断ドレイン電流≦1mA @ドレイン・ソース電圧:+180V,ゲートはソースに接続
規格はドレイン電流10mAのときにドレイン・ソース電圧>+180V
ドレイン・ソース飽和電圧≦6.0V(3.6~4.0Vでした) @ドレイン電流=4A,ゲート・ソース電圧=+10V
規格は,ドレイン・ソース飽和電圧=3.8Vtyp,6.0Vmax @ID=4A,VGS=+10V